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将高效稳定的南亚科技 1066MHz DDR3 So-DIMM 笔记型记忆模块带入英特尔新世代行动运算平台。
国际先进内存领导厂商之一的南亚科技股份有限公司 (“ 南科 ”) ,于2008年4月2日宣布其 1066MHz DDR3 So-DIMM 笔记型记忆模块已获得 Intel® Centrino® 2 行动运算平台认证。
南亚科技全球业务营销副总经理暨发言人白培霖博士表示:「南亚科技低耗电 DDR3 笔记型计算机专用内存能获得英特尔认证,足以证明南科 DDR3 优异的运算及绘图表现,已为日益成长的笔记型计算机市场提供最佳的内存解决方案。」
英特尔公司数字企业事业群产业计划与策略规划部门总监 Ali Sarabi 表示:「 英特尔 2008 年即将推出的行动运算平台,将搭载新一代高宽带低耗电量 DDR3 内存,我很荣幸南亚科技 DDR3 So-DIMM 笔记型内存模块能通过英特尔的测试。 」
南亚科技 1066MHz DDR3 So-DIMM 笔记型记忆模块可支持 PC3-6400 到 PC3-8500 ,使用时序为 7-7-7 ,将能有效强化英特尔 Intel® Centrino® 2 行动运算平台。此外,作为一专业的内存解决方案,南科 DDR3 的设计符合大量绘图及高传输速率的需求,因此能加快中央处理器信息传输的速度,所以每一条高效节能的南科 DDR3 内存模块,皆能满足专业玩家对极致效能的追求。
此次通过认证之 DDR3 So-DIMMs 笔记型记忆模块是以 DDR3 1Gbit 为基础组件, 由南亚科技和其合作伙伴奇梦达共同开发。
南亚科技内存模块的每个组件皆通过严格测试,每条内存模块上的芯片皆是质量的保证。欲了解更详尽的相关信息,请至南亚科技官方网站 www.nanya.com 。若对英特尔下一世代 Intel® Centrino 2™ 有兴趣,请至英特尔官方网站 http://www.intel.com 。
关于南科
南亚科技在先进内存领域中处于领先地位,属于台塑集团的一员,致力于 DRAM (动态随机存取内存)之研发、设计、制造与销售。南亚科技是在台湾证券交易所股票上市之公司,股票代号 为 2408 。 南亚科技目前在台湾拥有两座 200mm 晶圆厂以及一座 300mm 晶圆厂。南亚科技亦拥有一家合资公司华亚科技 ( “ Inotera Memories, Inc.”) ,华亚科技目前在台湾拥有两座 300mm 晶圆厂。更多关于南亚科技的信息, 欢迎莅临南亚科技网站 http://www.nanya.com 。
新闻联络人 :
南科发言人 白培霖副总 电话 : 03-328-1688 ext.1008 plpai@ntc.com.tw
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