深藏不露 SIS DDR3-1066竟超至1422

SIS DDR3-1066 1GB*2产品详解

　　● 更多产品细节

　　SIS DDR3-1066 1GB *2双通道配置能够满足高端1333MHz FSB Core 2处理器超频的内存配合需要。SIS送测的这套内存模组在外形上并没有做任何修饰，是面向OEM市场的朴素风格。

SIS DDR3-1066 1GB PCB正面

　　内存模组为双面配置，16片内存芯片分别贴装在PCB正反两面，PCB中央没有预留ECC型模组的最后一枚芯片焊位。

SIS DDR3-1066 1GB PCB背面

　　青绿色PCB的整体布局和DDR2型模组大致相同，不过也有DDR3产品的显著特征，正反面两一侧都纵向排布了一列贴片排阻，DDR2内存并无这样的设计。PCB整体做工优秀，用料充足，SIS传统硬件大厂的严谨风格得到了保持和延续。

内存模组的产品标签

　　产品标签包含了内存模组的型号、容量、速度、条码、编号等信息，但缺少标准运行延迟和工作电压信息。

ELPIDA DDR3内存芯片

　　模组配置的芯片来自于尔必达（ELPIDA），型号为J5308BASE-AC-E，从其官方网站查询可得，此芯片为DDR3-1066_6-6-6型，为DDR3-1066芯片中时序高档的产品，较低则有J5308BASE-AE-E的DDR3-1066_7-7-7型和J5308BASE-AG-E的DDR3-1066_8-8-8型。J5308BASE-AC-E内部为8banks，组织形式64M*8bit=512Mbit。

　　● SPD信息及分析

CPU-Z读取的内存模组SPD信息

　　CPU-Z 1.40显示的SIS DDR3-1066 1GB SPD信息如上图，模组容量、速度可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分仅包含3套设置， 分别为DDR3-1066_6-6-6-20、DDR3-1244_7-7-7-24和DDR2-1422_8-8-8-27！除了外部标称的DDR3-1066规格外，它的SPD标称频率相当惊人，超过了普通DDR3-1333_9-9-9的水平。

　　影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

　　CAS Latency，内存CAS延迟时间。
　　RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
　　Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
　　Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

　　这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。

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