依照产品标称，GeIL Ultra DDR2-800 Plus 1GB内存模组可以在2.4V工作电压下以3-3-3-8的时序设定工作在JEDEC认证的最高规格DDR2-800上，CAS延迟为3的水平已经是DDR2 SDRAM内存模组能够使用的最低极限！虽然2.4V DIMM电压并不是所有的主板都能够提供，但对GeIL Ultra DDR2-800 Plus的目标用户--发烧玩家们来讲，这并不是问题。

SPD信息提供了完整而准确的产品信息，我们能够在模组型号“CL3-3-3DDR2-800+”上明确看出这是3-3-3时序的DDR2-800产品。内存时序表部分设定完整，内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-9，DDR2-533时是4-4-4-12，DDR2-800为5-5-5-18，这一部分是内存在1.8V标准工作电压下的默认时序，和产品标签的2.4V DDR2-800@3-3-3-8并不相同，后者是产品非标准工作电压下超频能力的标称。

影响内存性能的因素

影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

CAS Latency，内存CAS延迟时间。

RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。

Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。

这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的For Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。

Micron芯片现身

小心翼翼的拆开内存模组金属外壳后，GeIL Ultra DDR2-800 Plus 1GB的芯片状况一览无遗，它搭载了Micron编号为D9GMH的DDR2 SDRAM芯片。

重量级DRAM制造商镁光（Micron）内存芯片无疑是目前DDR2 SDRAM产品中最令人激动的，从早期的制造工艺落后但超频性能强悍的“Fatboy”D9内存芯片开始，Micron芯片一直占据着DDR2 SDRAM超频的顶尖位置，包括CORSAIR XMS2 DDR2-1066内存模组在内的无数顶级超频品产品，都是基于Micron内存芯片制成的。

“Fatboy”D9昵称的由来是其110纳米制造工艺导致的芯片体积，然而先进工艺=更好性能的惯例此次被打破，这种样子夸张的内存芯片对工作电压的提高有极好的正面反馈，2.4V以上工作电压的“Fatboy”D9芯片内存模组有很多可以把内存时序调节到3-2-2（DDR2 SDRAM支持的最快时序）并且工作在DDR2-800以上的频率上，如果是4-3-2设定，这些怪物突破DDR2-1000频率也不是难事，要知道这是在04、05年生产的DDR2-400/533内存芯片上实现的，其他厂商的DDR2 SDRAM内存芯片的超频能力根本无法望其项背。在Micron把内存芯片制造工艺改进到90纳米之后较长一段时间，这些新工艺的芯片都无法达到“Fatboy”D9的超频能力，直到最近两个季度的新芯片，Micron再一次让玩家疯狂，编号为D9GCT、D9GMH、D9GKX等的新一代内存芯片在保持接近“Fatboy”D9低时序能力和对电压敏感的前提下，把4-4-4时序下的频率上限提高到了DDR2-1100附近！而极限运行频率更达到约1200MHz！

如何了解Micron BGA封装芯片信息

Micron DRAM芯片可以根据其差价品型号识别出产品规格，其详情如下图所示，可点击放大：